申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115422880A

主分类号：G06F30/3947

分类号：G06F30/3947;G06F30/398

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2022.12.02#公开

摘要：本公开实施例提供一种半导体结构、版图结构以及存储器，该半导体结构包括：多个存储单元阵列，所述存储单元阵列沿第一方向并列排布；沿所述第一方向并列排布的多个读写控制电路，位于所述存储单元阵列在第二方向上的一侧且每一所述读写控制电路通过第一数据线连接对应的一个所述存储单元阵列，所述读写控制电路用于控制向所述存储单元阵列写入或读出数据，所述第二方向垂直于所述第一方向；校验电路，所述校验电路位于所述读写控制电路远离所述存储单元阵列的一侧且所述校验电路通过第二数据线连接所述读写控制电路，所述校验电路用于对所述数据进行校验。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：多个存储单元阵列，所述存储单元阵列沿第一方向并列排布；沿所述第一方向并列排布的多个读写控制电路，位于所述存储单元阵列在第二方向上的一侧且每一所述读写控制电路通过第一数据线连接对应的一个所述存储单元阵列，所述读写控制电路用于控制向所述存储单元阵列写入或读出数据，所述第二方向垂直于所述第一方向；校验电路，所述校验电路位于所述读写控制电路远离所述存储单元阵列的一侧且所述校验电路通过第二数据线连接所述读写控制电路，所述校验电路用于对所述数据进行校验。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构、版图结构以及存储器

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