申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
申请日:2023-11-20
公开(公告)日:2023-12-19
公开(公告)号:CN117253925A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开
摘要:本发明公开了一种具有凹槽场板的STI型LDMOS及制备方法,该LDMOS包括多晶硅场板;所述多晶硅场板开设有凹槽;所述凹槽位于STI顶部侧边缘的正上方。本发明通过在多晶硅场板位于STI的顶部侧边缘的正上方处开设凹槽,在保持LDMOS器件的击穿电压的同时降低了在STI的顶部侧边缘处形成的凹坑导致的热载流子注入效应和与时间相关的电介质击穿,改善LDMOS器件的可靠性问题。
主权项:1.一种具有凹槽场板的STI型LDMOS,其特征在于,包括多晶硅场板和STI;所述多晶硅场板的内部开设有凹槽;所述凹槽位于所述STI的顶部侧边缘的正上方。
全文数据:
权利要求:
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