申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117613087A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.27#公开

摘要：本发明公开了一种具有窄型STI的LDMOS及制备方法，该LDMOS包括：窄型STI；窄型STI位于第一处的横截面的面积比位于第二处的横截面的面积小。本发明在LDMOS的OD层上进行布局设计，使得LDMOS漏极侧形成窄型STI结构，在窄型STI的第一处保持击穿性能，在窄型STI的第二处减小了源极到漏极的电子流动路径，解决了使用STI漏极扩展MOS提高击穿电压导致导通电阻大幅增加的技术问题，本发明的LDMOS器件在维持使用传统STI漏极扩展MOS所带来的高击穿电压的基础上，有效地改善了导通电阻。

主权项：1.一种具有窄型STI的LDMOS，其特征在于，包括：窄型STI；窄型STI位于第一处的横截面的面积比位于第二处的横截面的面积大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有窄型STI的LDMOS及制备方法

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