申请/专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司

申请日：2022-05-10

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN117545873A

主分类号：C23C16/24

分类号：C23C16/24

优先权：["20210616 DE 102021206168.0"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.09#公开

摘要：本发明涉及一种在EUV波长范围的反射光学元件30的表面36上沉积外层35的方法，其中沉积在至少一个宏循环37中实现。宏循环37包括以下步骤：在至少一个ALD循环中通过原子层沉积ALD工艺至少部分地沉积外层35，并且部分地回蚀刻外层35。本发明还涉及用于EUV波长范围的反射光学元件30，其包括具有外层35的表面36，其中外层35通过上述方法沉积，并且涉及包括至少一个这种反射光学元件30的EUV光刻系统。

主权项：1.一种在EUV波长范围的反射光学元件30的表面36上沉积外层35的方法，其中沉积在至少一个宏循环37中实现，所述宏循环37包括以下步骤：-在至少一个ALD循环中通过原子层沉积ALD工艺至少部分地沉积所述外层35，以及-部分地回蚀刻所述外层35。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 卡尔蔡司SMT有限责任公司 用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统

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