申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2022-05-16

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117616893A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H01L29/15;H10B43/50;H10B43/35

优先权：["20211124 US 17/534,528","20220216 US 17/673,137"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：一种包含多级存储器元件的三维存储器器件包括：包含层堆叠的存储器膜，该层堆叠包括共振隧穿势垒堆叠、半导体势垒层和位于该共振隧穿势垒堆叠与该半导体势垒层之间的存储器材料层；半导体沟道；以及控制栅极电极。

主权项：1.一种存储器器件，所述存储器器件包括：绝缘层和控制栅极层的交替堆叠；竖直延伸穿过所述交替堆叠的存储器开口；和存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构包括位于所述存储器开口中的存储器膜和竖直半导体沟道，其中所述存储器膜包括共振隧穿势垒堆叠、半导体势垒层和位于所述共振隧穿势垒堆叠与所述半导体势垒层之间的存储器材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 包含共振隧穿势垒和高迁移率沟道的三维存储器器件及其制造方法

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