申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117650158A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本申请公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P型埋层和PN结结构依次设于衬底的一侧；PN结结构包括沿第一方向交替分布的P型区和N型区；N型区包括N型电流扩展区和源极N型区，N型电流扩展区位于沿第一方向排列的两个源极N型区之间；栅极贯穿PN结结构中位于N型电流扩展区与源极N型区之间的P型区并嵌于P型埋层；辅助沟槽结构嵌于N型电流扩展区；第一N型电流通道贯穿位于辅助沟槽结构下方的N型电流扩展区和P型埋层，并嵌于N型外延层。由此，P型埋层可以降低栅极槽角处电场并在栅极沟槽侧壁和底部形成导通沟道，改善降低比导通电阻和栅极槽角电场之间的矛盾。

主权项：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：衬底、N型外延层、P型埋层、PN结结构、第一N型电流通道、辅助沟槽结构、源极P型区、栅极、源极以及漏极；所述N型外延层、所述P型埋层以及所述PN结结构依次设于所述衬底的一侧；所述漏极设于所述衬底的另一侧；所述PN结结构包括沿第一方向交替分布的P型区和N型区；所述N型区包括N型电流扩展区和源极N型区，所述N型电流扩展区位于沿第一方向排列的两个源极N型区之间；所述第一方向垂直于所述N型外延层、所述P型埋层以及所述PN结结构的排列方向；所述栅极贯穿所述PN结结构中位于所述N型电流扩展区与所述源极N型区之间的P型区并嵌于所述P型埋层；多个所述栅极沿第二方向间隔分布；所述第二方向垂直于所述第一方向；所述辅助沟槽结构嵌于所述N型电流扩展区；所述第一N型电流通道贯穿位于所述辅助沟槽结构下方的所述N型电流扩展区以及所述P型埋层，并嵌于所述N型外延层；所述源极P型区位于所述PN结结构中P型区背离所述衬底的一侧，与所述源极N型区背离所述N型电流扩展区的一侧接触；所述源极设于所述PN结结构背离所述衬底的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD