申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727790A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种内嵌型集成肖特基沟槽的碳化硅MOSFET器件。本发明采用在源极沟槽多次开孔集成肖特基接触的方式，在不增加器件元胞横向面积的基础上利用肖特基接触为反向恢复提供电流通路，优化了器件的开关特性和反向恢复能力，与传统结构相比具有更低的比导通电阻。

主权项：1.一种内嵌型集成肖特基沟槽的碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次层叠设置的金属漏电极1、N型半导体衬底2和N型外延层3；其特征在于，在N型外延层3上层的一端具有P型屏蔽区4，N型外延层3上层的另一端具有栅极沟槽10，在P型屏蔽区4和栅极沟槽10之间的N型外延层3上层具有层叠设置的P型阱区8和N+源区9，其中N+源区9位于P型阱区8的上表面；沿器件横向方向，在所述P型屏蔽区4的中部上层具有源极沟槽7，沿器件纵向方向，源极沟槽7贯穿P型屏蔽区4，并且沿器件纵向方向，源极沟槽7的底部具有交替设置的源极欧姆接触电极6和肖特基接触电极5，其中肖特基接触电极5与N型外延层3接触而源极欧姆接触电极6与N型外延层3之间具有间距；所述栅极沟槽10由栅氧化层11和位于栅氧化层11中的多晶硅栅12构成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种内嵌型集成肖特基沟槽的碳化硅MOSFET器件

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