申请/专利权人：苏州智程半导体科技股份有限公司

申请日：2024-02-07

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721511A

主分类号：C25D17/00

分类号：C25D17/00;C25D7/12;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域；阳极区域包阳极腔，带孔侧壁以及离子膜，阴极区域包括内腔，内腔和阳极腔之间设置的阴极补液口，内腔内有均流板，内腔外有外腔，外腔和内腔之间为溢流区，外腔的侧壁底部有阴极排液口。有益效果为：本申请具备金属离子通过补液和离子膜渗透两方面迅速补充所需金属离子，且在设备狭小有限的空间内，设置圆形离子膜，提高了金属离子的渗透通量，还具备阳极补液、排气可靠稳定，经济效益高，制造水平稳定可靠等特色。

主权项：1.一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备，包括旋转圆盘电极和固定在底板上的阳极区域、阴极区域，其特征在于：阳极区域包括呈圆柱的阳极腔3，阳极腔3的侧壁设置为带孔侧壁32，于带孔侧壁32之外套紧固定离子膜33，该离子膜33以带孔侧壁32为支撑并套在带孔侧壁32的外侧；阴极区域包括设置于阳极腔3外的内腔2，内腔2呈圆形且高于阳极腔3并与阳极腔3同圆心设置，内腔2和阳极腔3之间设置有为阴极区补液的阴极补液口11，该阴极补液口11设置自下而上与底板固定；内腔2内水平固定有均流板22，均流板22上均匀分布有小孔，均流板22位于阳极腔3之上并高于阳极腔3；内腔2之外设置有圆形的外腔1，外腔1和内腔2同圆心设置，外腔1高于内腔2，外腔1和内腔2之间为溢流区，外腔1的侧壁底部设置有阴极排液口12用于把溢流的阴极液排除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种快速补充金属离子的半导体晶圆电化学沉积设备

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