申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727681A

主分类号：H01L21/687

分类号：H01L21/687;C30B25/12;C30B23/02;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种升降销、外延生长装置及晶圆外延生长方法，涉及半导体制造技术领域。该升降销包括：依次连接的升降销头部、第一销轴以及第二销轴，所述升降销头部、所述第一销轴与所述第二销轴的轴线位于同一直线上；所述升降销用于外延生长装置中，所述第一销轴用以与所述外延生长装置中的基座接触，所述第二销轴用以与外延生长装置中的基座支撑杆接触，所述升降销头部用以与晶圆背面接触；所述第一销轴的表面粗糙度小于所述第二销轴的表面粗糙度。本发明实施例的升降销，能够解决现有技术中升降销在与外延生长装置的基座及基座支撑杆进行摩擦振动的过程中产生污染颗粒，导致晶圆表面的质量恶化的问题。

主权项：1.一种升降销，其特征在于，包括：依次连接的升降销头部、第一销轴以及第二销轴，所述升降销头部、所述第一销轴与所述第二销轴的轴线位于同一直线上；所述升降销用于外延生长装置中，所述第一销轴用以与所述外延生长装置中的基座接触，所述第二销轴用以与外延生长装置中的基座支撑杆接触，所述升降销头部用以与晶圆背面接触；所述第一销轴的表面粗糙度小于所述第二销轴的表面粗糙度。

全文数据：

权利要求：

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