申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-01-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112909095B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.06.22#实质审查的生效;2021.06.04#公开

摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，通过对LDMOS器件靠近沟道一侧的场板介质层STI进行刻蚀并填充可导电的第二掺杂多晶硅层，使得靠近沟道区的场板介质层厚度小于STI的整体介质层厚度，并且填充的多晶硅层与器件的栅极多晶硅层短接，器件的场板介质层由第二多晶硅层进行分割，实现第二多晶硅靠近沟道一侧的侧壁的场板介质层厚度和底部的场板介质层厚度小于STI的整体厚度，使得器件的特性得到进一步改善。

主权项：1.一种LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤一，在第一导电类型的衬底（101）或者外延上形成STI（102），包括内侧STI以及外侧STI；然后进行第二导电类型离子注入形成LDMOS器件的漂移区和RESURF层（105）；在衬底（101）表面形成介质层（103），沉积多晶硅层（104）；依次沉积氧化硅层、氮化硅层形成叠层（501）；步骤二，涂光刻胶（502），光刻打开STI的刻蚀区域，并向下刻蚀叠层（501）；步骤三，去除光刻胶（502），以叠层（501）为硬质掩膜层，依次刻蚀多晶硅层（104）、栅介质层（103）、以及STI（102），在所述的内侧STI（102）中刻蚀出凹槽；步骤四，沉积第二多晶硅（112）；步骤五，以叠层（501）作为研磨停止层，对第二多晶硅（112）进行CMP工艺；CMP工艺研磨终止后再刻蚀去除叠层（501）；步骤六，再次涂光刻胶（503），光刻打开体区的注入区域；向下刻蚀多晶硅层（104），并继续向下刻蚀介质层（103）保留一定厚度以形成栅介质层；在保留光刻胶的情况下进行第一导电类型离子注入；步骤七，再次涂光刻胶（504），光刻打开LDMOS器件的漏区进行多晶硅层（104）的第二次刻蚀，定义出多晶硅栅极的靠漏端的边界；步骤八，去除光刻胶（504），在多晶硅栅极（104）两侧形成侧墙（108），进行第二导电类型的离子注入以形成重掺杂的掺杂区（109）作为LDMOS器件的源区及漏区，进行第一导电类型的离子注入形成体区的引出区（110）；进行金属硅化反应制作金属硅化物（111）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件及工艺方法

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