申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-07-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113937164B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.01#实质审查的生效;2022.01.14#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和鳍部，沿鳍部延伸方向，衬底包括器件单元区和位于相邻器件单元区之间的隔离区，衬底上形成有覆盖鳍部的部分侧壁的隔离层，器件单元区和隔离区的隔离层上形成有横跨鳍部的栅极层，栅极层顶部形成有栅极掩膜层；在隔离区的栅极掩膜层中形成掩膜开口；沿掩膜开口刻蚀栅极层和鳍部，形成隔离开口；在隔离开口中形成隔离结构。本发明利用栅极掩膜层中的掩膜开口，省去了形成用于定义隔离结构位置的掩膜层的步骤，且通过依次刻蚀栅极层和鳍部的方式形成隔离开口，降低了形成工艺的复杂度，同时，隔离开口在同一步骤中形成，受套刻精度的影响较小，从而提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，沿所述鳍部的延伸方向，所述衬底包括器件单元区以及位于相邻所述器件单元区之间的隔离区，所述衬底上形成有覆盖所述鳍部的部分侧壁的隔离层，所述器件单元区和隔离区的所述隔离层上形成有横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层的顶部形成有栅极掩膜层，所述栅极层全面覆盖所述鳍部和隔离层；在所述隔离区的所述栅极掩膜层中形成掩膜开口；以所述栅极掩膜层为掩膜，沿所述掩膜开口依次刻蚀所述栅极层和鳍部，形成由所述栅极层、隔离层、鳍部和衬底围成的隔离开口；在所述隔离开口中形成隔离结构，所述隔离结构用于沿所述鳍部的延伸方向隔离相邻鳍部；形成所述隔离结构后，所述形成方法还包括：图形化所述栅极掩膜层，形成栅极掩膜图形层；以所述栅极掩膜图形层为掩膜，图形化所述栅极层，在所述器件单元区形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁的栅极结构。

全文数据：

权利要求：

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