申请/专利权人：摩尔线程智能科技(北京)有限责任公司

申请日：2023-07-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627803U

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/64;H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本公开涉及半导体封装结构以及包括其的芯片。一种半导体封装结构包括：多层基板核，所述多层基板核是通过减小单层基板核的厚度并在所述单层基板核上施加积层而形成的；以及嵌入在所述多层基板核中的Si电容。根据本公开的半导体封装结构，能够显著降低嵌入式电容的ESL和ESR，提高电容的性能，同时还能保证基板核的机械强度，并减少ABF层的层数。本公开还涉及包括这样的半导体封装结构的芯片。

主权项：1.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：多层基板核，所述多层基板核是通过减小单层基板核的厚度并在所述单层基板核上施加积层而形成的；以及嵌入在所述多层基板核中的Si电容。

全文数据：

权利要求：

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