申请/专利权人：沉积半导体材料(南通)有限公司

申请日：2023-11-24

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737850A

主分类号：C30B29/06

分类号：C30B29/06;C30B25/12;H01L21/687

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种用于提高质量外延硅片平坦度方法，本发明涉及半导体技术领域，包括四个方案：第一方案包括石墨基座在半径146mm‑150mm范围内把空洞大小增加一倍，改变硅片在146mm之后热传导方式；第二方案包括石墨基座在从146mm‑150mm厚度减少1.5um；第三方案包括石墨基座在半径146mm‑150mm范围内在石墨外面喷涂SiC涂层，改变硅片在146mm之后热传导方式；第四方案包括石墨基座在从146mm—150mm厚度逐渐减小。该用于提高质量外延硅片平坦度方法，通过改变石墨底座的厚度降低热传导的速度，从而得到较薄的膜层，并通过改变对应底座的孔径大小从热传导变成热辐射方式降低温度，从而得到较薄沉积薄膜，从而得到平坦度较好的外延片。

主权项：1.一种用于提高质量外延硅片平坦度方法，其特征在于：包括四个方案：第一方案包括石墨基座在半径146mm-150mm范围内把空洞大小增加一倍，改变硅片在146mm之后热传导方式；第二方案包括石墨基座在从146mm-150mm厚度减少1.5um；第三方案包括石墨基座在半径146mm-150mm范围内在石墨外面喷涂SiC涂层，改变硅片在146mm之后热传导方式；第四方案包括石墨基座在从146mm—150mm厚度逐渐减小。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沉积半导体材料(南通)有限公司 一种用于提高质量外延硅片平坦度方法

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