申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747414A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C11D1/66;C11D3/04;C11D3/12;C11D3/16;C11D3/20;C11D3/28;C11D3/30;C11D3/39;C11D3/60;C11D11/00;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于半导体晶圆加工工艺技术领域，具体公开一种半导体晶圆基底清洗方法，所述清洗方法具体是将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：去离子水34‑46份，30wt%的过氧化氢溶液30‑40份，有机胺2‑5份，磷酸1‑2.5份，缓蚀剂0.1‑1份，缓释剂4‑12份，有机极性溶剂8‑14份，表面活性剂0.1‑0.2份，助剂0‑0.5份；本发明以过氧化氢为主要活性成分，制得一种无氟的半导体晶圆清洗剂，其对蚀刻基底的侧壁或周围形成蚀刻残余物具有良好的清洗效果。

主权项：1.一种半导体晶圆基底清洗方法，其特征在于，将蚀刻去光阻后的图案化晶圆浸泡在洗液中，取出再以去离子水洗涤，其中，按重量份数计，所述洗液具有如下的组分组成：去离子水34-46份，30wt%的过氧化氢溶液30-40份，有机胺2-5份，磷酸1-2.5份，缓蚀剂0.1-1份，缓释剂4-12份，有机极性溶剂8-14份，表面活性剂0.1-0.2份，助剂0-0.5份。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种半导体晶圆基底清洗方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD