申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747666A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供了一种超级结MOSFET器件，包括：衬底；梯形柱区，漂移区位于梯形柱区高度范围内的部分为第一漂移区，各个梯形柱区将第一漂移区分隔出漂移小区域；梯形柱区在任一高度x位置的掺杂浓度NAx与梯形柱区的任一高度x位置、梯形柱区的宽底和底角、漂移小区域的窄底和掺杂浓度满足预设关系式，使得梯形柱区在任一高度x位置的电荷和漂移小区域在同一高度的电荷平衡；梯形柱区的任一高度x位置为变量，梯形柱区的宽底和底角、漂移小区域的窄底和掺杂浓度为常量。本申请解决了传统的超级结MOSFET器件存在漂移区空间电场不均匀导致耐压等级无法提升的技术问题，同时不影响其他电学特性参数。

主权项：1.一种超级结MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的第一掺杂类型的漂移区；形成所述漂移区内的第二掺杂类型的K个梯形柱区，所述漂移区位于所述梯形柱区高度范围内的部分为第一漂移区，各个所述梯形柱区将第一漂移区分隔出K个一一对应的梯形的漂移小区域，K为正整数；梯形柱区在任一高度x位置的掺杂浓度NAx与梯形柱区的任一高度x位置、梯形柱区的宽底和底角、漂移小区域的窄底和掺杂浓度满足预设关系式，使得梯形柱区在任一高度x位置的电荷和所述漂移小区域在同一高度的电荷平衡；其中，梯形柱区的任一高度x位置为变量，梯形柱区的宽底和底角、漂移小区域的窄底和掺杂浓度均为常量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种超级结MOSFET器件

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