申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-09-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111261519B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20181130 US 62/773,909","20190603 US 16/430,177"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.07.03#实质审查的生效;2020.06.09#公开

摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极结构；在鳍中并且与栅极结构相邻形成凹槽；执行湿法蚀刻工艺以清洁凹槽；利用等离子体工艺来处理凹槽；以及在等离子体工艺和湿法蚀刻工艺之后执行干法蚀刻工艺以清洁凹槽。

主权项：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在所述鳍上方形成栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅极电极以及沿着所述栅极电极的侧壁设置的栅极间隔件；在所述鳍中并且与所述栅极结构相邻形成凹槽；执行湿法蚀刻工艺以清洁所述凹槽；利用等离子体工艺来处理所述凹槽，其中，所述等离子体工艺扩展所述凹槽的宽度，使得所述凹槽的侧壁与所述栅极电极的相应侧壁之间的距离减少，其中，所述等离子体工艺选择性地移除所述鳍的由所述凹槽暴露的部分，而不攻击所述栅极结构的所述栅极间隔件，其中，所述凹槽的深度经由所述等离子体工艺保持基本不变；以及在所述等离子体工艺和所述湿法蚀刻工艺之后执行干法蚀刻工艺以清洁所述凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 鳍式场效应晶体管器件及其形成方法

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