申请/专利权人：上海格晶半导体有限公司

申请日：2023-08-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652021U

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型公开了一种GaN基HEMT器件结构，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的顶部；所述蓝宝石衬底的顶部从下往上依次生长有GaN缓冲层、道沟层、AlGaN层，所述AlGaN层的顶部设置有栅极，所述AlGaN层的两侧顶部依次设有源极和漏极；本实用新型的HEMT器件结构通过将栅极的底部设置为倾斜状，并且顶部沿着水平方向向一侧延伸，导致电场在器件内接触栅极后分布发生变化，用于调节电子在沟道中的运动情况，从而优化电子在器件的道沟中的传输，从而影响器件的导电特性。

主权项：1.一种GaN基HEMT器件结构，包括蓝宝石衬底1，其特征在于：所述蓝宝石衬底1的顶部从下往上依次生长有GaN缓冲层2、道沟层3、AlGaN层4，所述AlGaN层4的顶部设置有栅极5，所述AlGaN层4的两侧顶部依次设有源极7和漏极8，所述栅极5的顶部沿水平面向一侧延长，且所述栅极5的底部为倾斜状，所述AlGaN层4与所述栅极5的相邻面设置有铝氧化物薄膜6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海格晶半导体有限公司 一种GaN基HEMT器件结构

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