申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790286A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种改善硅片表面PID的清洗工艺流程，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：预清洗操作，在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗，接着进入到O3槽中清洗，然后进入到HF槽中清洗，再在纯水溢流槽内进行冲洗。第二步：颗粒金属清洗操作，先在SC1清洗槽内进行两次清洗，接着在纯水冲洗槽内进行两次冲洗，纯水流量14～22Lmin，然后进入到O3槽中清洗。第三步：进入到HF槽中清洗，接着在纯水冲洗槽内进行冲洗，纯水流量14～22Lmin。第四步：在纯水溢流槽内进行冲洗，溢流流量2～4Lmin。第五步：完成慢提拉槽清洗后，进入取料槽。具有工艺简单、操作便捷和效果好的特点。改善硅片抛光过程中产生的PID缺陷，达到提高硅片质量和提升良率的效果。

主权项：1.一种改善硅片表面PID的清洗工艺流程，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：预清洗操作，在清洗槽内采用纯水进行溢流清洗，接着进入到O3槽中清洗，然后进入到HF槽中清洗，再在纯水溢流槽内进行冲洗；第二步：颗粒金属清洗操作，先在SC1清洗槽内进行两次清洗，接着在纯水冲洗槽内进行两次冲洗，纯水流量14～22Lmin，同时开启超声辅助，然后进入到O3槽中清洗；第三步：进入到HF槽中清洗，接着在纯水冲洗槽内进行冲洗，纯水流量14～22Lmin，同时开启超声辅助；第四步：在纯水溢流槽内进行冲洗，溢流流量2～4Lmin；第五步：完成慢提拉槽清洗后，进入取料槽。

全文数据：

权利要求：

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