申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN111834228B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.11.13#实质审查的生效;2020.10.27#公开

摘要：本发明提供一种LDMOS器件的制备方法，包括，在半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；然后，在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底；以及，对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的漂移区。其中，在对栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺时，所述栅极结构可以阻挡所述离子注入工艺对所述半导体衬底的离子注入，减少所述半导体衬底离子注入的能量和剂量，减小形成的所述漂移区中的离子浓度和深度，由此，可以使电场分散，从而以使LDMOS器件中的电场强度变小,进而可以提高LDMOS器件的阈值电压，进一步的，可有效的提高器件的可靠性。

主权项：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成场氧化层，所述场氧化层两侧均暴露出部分所述半导体衬底；在所述场氧化层一侧的所述半导体衬底中形成第一导电类型的阱区；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构位于所述场氧化层靠近所述阱区的一侧，并延伸覆盖部分所述场氧化层，其中，所述栅极结构包括一栅氧化层和一栅极，所述栅氧化层位于所述场氧化层一侧并覆盖部分所述阱区和部分所述半导体衬底，所述栅极覆盖所述栅氧化层并延伸覆盖部分所述场氧化层；以及，对所述栅极结构和所述半导体衬底执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中形成第二导电类型的漂移区，其中，所述栅极结构用于阻挡所述离子注入工艺对所述半导体衬底的离子注入，以减小所述漂移区中的离子浓度和深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件的制备方法

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