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【发明公布】一种LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202410231492.9 

申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日:2024-03-01

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117810252A

主分类号:H01L29/40

分类号:H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法,LDMOS器件包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区,设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板,源区和漏区分别位于每个栅极结构的两侧,阻挡结构从栅极结构远离源区一侧的衬底上向源区方向延伸,并覆盖栅极结构的部分侧壁和部分表面,栅极结构和阻挡结构一一对应设置,且介质层覆盖衬底、栅极结构和阻挡结构;阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层,场板从上至下依次贯通介质层、第二阻挡层和多晶硅层,并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合,可以优化并降低电场分布强度,并提高击穿电压。

主权项:1.一种LDMOS器件,包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区,设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板,其特征在于,所述源区和漏区分别位于每个所述栅极结构的两侧,所述阻挡结构从所述栅极结构远离所述源区一侧的衬底上向所述源区方向延伸,并覆盖所述栅极结构的部分侧壁和部分表面,所述栅极结构和阻挡结构一一对应设置,且所述介质层覆盖所述衬底、栅极结构和阻挡结构;其中,所述阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层,所述场板从上至下依次贯通所述介质层、第二阻挡层和多晶硅层,并伸入所述第一阻挡层中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种LDMOS器件及其制备方法

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