申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-03-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810332A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/00;H01L33/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及半导体，具体公开一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括衬底及外延层，所述外延层包括N型复合层，所述N型复合层包括沿外延方向依次设置的第一N型层及第二N型层，所述第一N型层为掺Si的N型GaN层，所述第二N型层为周期性依次交替层叠的掺Ge的InaGa1‑aN层及掺Ge的BbGa1‑bN层，所述第一N型层的Si掺杂浓度高于所述第二N型层的Ge掺杂浓度，通过N型复合层的设置，有效延缓电子的迁移速率，帮助电流的横向扩展，减小电流拥挤效应，减少漏电通道，并取消电子阻挡层，提高电子与空穴在多量子阱层的空间重合度，进而提升LED的发光效率，降低其工作电压。

主权项：1.一种氮化镓基发光二极管外延片，包括衬底及设置于所述衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层包括沿外延方向依次设置于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型复合层、应力释放层、多量子阱层及P型层，所述N型复合层包括沿外延方向依次设置的第一N型层及第二N型层，所述第一N型层为掺Si的N型GaN层，所述第二N型层为周期性依次交替层叠的掺Ge的InaGa1-aN层及掺Ge的BbGa1-bN层，所述第一N型层的Si掺杂浓度高于所述第二N型层的Ge掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

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