申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2024-02-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810265A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件包括：续流二极管结构以及沟槽MOSFET结构；N型电流通道在续流二极管结构中位于P型埋层与两个源极P型区的接触区域之间，在沟槽MOSFET结构中沿第二方向分布于P型埋层中；多个源极P型区在两个沟槽MOSFET结构之间间断分布；源极P型区贯穿源极N型区和第二N型外延层；沟槽MOSFET结构还包括：栅极、P型阱区、第一P型掩蔽层以及第一P型接地柱。由此，在栅极下方形成深掩蔽结构，可以保护栅极沟槽的槽角；在两个源极P型区之间集成PN结控制的高速续流二极管，降低了宽禁带半导体MOSFET器件的开关损耗。

主权项：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括：续流二极管结构以及沟槽MOSFET结构；所述沟槽MOSFET结构与所述续流二极管结构沿第一方向间隔排列；宽禁带半导体沟槽MOSFET器件的第一截面区和第二截面区沿第二方向间隔排列；所述第一方向垂直于所述第二方向；漏极、衬底、第一N型外延层、P型埋层与N型电流通道、第二N型外延层、源极欧姆接触金属以及源极沿第三方向依次堆叠；所述第三方向垂直于所述第一方向且垂直于所述第二方向；多个源极P型区在两个所述沟槽MOSFET结构之间间断分布，所述源极P型区与所述P型埋层和所述源极欧姆接触金属接触；源极N型区设于所述第二N型外延层背离所述衬底的一侧，侧表面与所述源极P型区第三方向上的侧壁接触，上表面与所述源极欧姆接触金属接触；所述N型电流通道在所述续流二极管结构中位于所述P型埋层与两个所述源极P型区的接触区域之间间断分布，在所述沟槽MOSFET结构中沿第二方向分布于第二截面区的P型埋层中；所述沟槽MOSFET结构还包括：栅极、P型阱区、第一P型掩蔽层以及第一P型接地柱；所述P型阱区位于所述第二N型外延层背离衬底的一侧，所述P型阱区的上表面与所述源极N型区的下表面接触；所述栅极贯穿所述P型阱区和所述源极N型区并嵌于所述第二N型外延层；所述第一P型掩蔽层与所述栅极的底面接触，沿所述第二方向在所述第二N型外延层中延伸；所述第一P型接地柱位于所述第一截面区内的所述第二N型外延层中，靠近所述衬底的一侧接触所述P型埋层，背离所述衬底的一侧接触所述第一P型掩蔽层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD