申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117807835A

主分类号：G06F30/23

分类号：G06F30/23;G06F119/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种多栅指GaNHEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaNHEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaNHEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaNHEMT器件的静态热阻提取精度。

主权项：1.一种多栅指GaNHEMT器件的静态热阻提取方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：获取多栅指GaNHEMT器件的物理结构参数；S2：获取器件的直流特性，基于所述物理结构参数及所述直流特性建立二维电热模型；S3：在所选偏置电压点下对器件进行红外热成像测试；S4：建立三维有限元热模型；S5：进行栅指间和栅指内电热耦合迭代并计算迭代误差；S6：判断所述迭代误差是否小于预设范围，则是，则进行下一步，若否，则返回所述步骤S5；S7：将经电热耦合迭代后的三维有限元热仿真结果进行高斯滤波处理并对比红外热成像结果；S8：判断高斯滤波处理后的仿真结果与红外热成像结果是否基本拟合，若是，则进行下一步，若否，则改变器件模型材料热导率及界面热阻并返回所述步骤S5；S9：利用三维有限元热仿真模型精确提取器件热分布及热阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种多栅指GaN HEMT器件的静态热阻提取方法

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