申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858868A

主分类号：C07D215/30

分类号：C07D215/30;H10K50/10;H10K50/844;H10K71/00;C07D215/36;C07D235/18;C07D241/42;C07D213/22;C07F5/06;H10K50/00;H10K85/30

优先权：["20210820 JP 2021-134775"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：提高有机半导体器件的耐热性，该有机半导体器件包括在有机半导体层上以其接触的方式形成氧化铝膜的工序。在有机半导体层上设置包含以下述通式G1表示的有机半导体层的掩模用有机金属化合物的层，然后进行加热工序。在通式G1中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，X表示氧或硫，M表示金属，n表示1至5的整数，金属M的化合价与n相同。注意，在n为2以上的情况下，多个Ar也可以相同或不同，X也可以相同或不同。在Ar为取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基的情况下，杂芳基的杂原子也可以与金属M配位键合。

主权项：1.一种以下述通式G1表示的用来提高有机半导体层的耐热性的保护层用有机金属化合物。[化学式1] 在通式G1中，Ar表示取代或未取代的碳原子数为6至30的芳基或者取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基，X表示氧或硫，M表示金属，n表示1至5的整数，金属M的化合价与n相同。注意，在n为2以上的情况下，多个Ar也可以相同或不同，X也可以相同或不同。在Ar为取代或未取代的碳原子数为1至30的杂芳基的情况下，杂芳基的杂原子也可以与金属M配位键合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 保护层用有机金属化合物、保护层、有机半导体层的加工方法以及有机半导体器件的制造方法

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