申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2021-07-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855186A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种金属互连结构及半导体器件，该金属互连结构包括依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并与所述接触孔的第一部分连接的第二部分；所述接触孔的第一部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角小于所述接触孔的第二部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角；覆盖所述接触孔侧壁和底部的扩散阻挡层。所述接触孔的第一部分和第二部分的连接处位于所述刻蚀停止层处，过渡平缓，不会形成尖锐的角，扩散阻挡层的覆盖性较好，大大减少了互连结构之间的短路问题。

主权项：1.一种金属互连结构，其特征在于，包括：依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并与所述接触孔的第一部分连接的第二部分；所述接触孔的第一部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角小于所述接触孔的第二部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角；覆盖所述接触孔侧壁和底部的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层的材料包括：金属氮化物；填充于所述接触孔内的导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 金属互连结构及半导体器件

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