申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832255A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体层、至少一栅极结构、第一绝缘层、点状漏极接触通孔、环状源极接触通孔、漏极欧姆接触金属层及源极欧姆接触金属层，其中，栅极结构划分为栅极汇流区、四个栅极环区及四个连接区，四个栅极环区均匀分布于栅极汇流区的四周，每一栅极环区通过一所连接区与栅极汇流区连接。本发明中，栅控制单元采用环形元胞结构，可以实现很小的源漏极串联电阻，配合双层互连技术，可以实现有源区面积占比的优化，有效提升器件的电流密度。另外，本发明中四个栅控制单元围绕一个栅极汇流区均匀分布，这种四合一的功能单元在器件整体布局时，相较于插指结构更为灵活多变，有利于提升版图设计的效率。

主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：半导体层，所述半导体层包括自下而上依次层叠的第一材料层与第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的界面处含有二维电子气；至少一栅极结构，位于所述第二材料层上，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的栅极材料层与栅极金属层，所述栅极结构划分为栅极汇流区、四个栅极环区及四个连接区，所述四个栅极环区均匀分布于所述栅极汇流区的四周，每一所述栅极环区通过一所述连接区与所述栅极汇流区连接；第一绝缘层，位于所述第二材料层上并覆盖所述栅极结构；点状漏极接触通孔，位于所述栅极环区围成的区域内并贯穿所述第一绝缘层以显露所述第二材料层；环状源极接触通孔，环设于所述栅极环区周围并贯穿所述第一绝缘层以显露所述第二材料层，所述源极接触通孔还开设有容许所述连接区穿过的缺口；漏极欧姆接触金属层，位于所述漏极接触通孔中；源极欧姆接触金属层，位于所述源极接触通孔中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华润微电子(重庆)有限公司 一种HEMT器件及其制作方法

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