申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878062A

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/768;H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种扇出封装结构、扇出封装的半导体器件及制备方法，扇出封装结构的封装层具有适于放置芯片的安装槽；重布线层设置在封装层设置有安装槽的一侧表面，用于与芯片电连接；多个凸点间隔设置在重布线层背离封装层的一侧表面上，与重布线层电连接；增强结构增强顶层设置在重布线层背离封装层的一侧表面上且具有多个通孔；多个连接柱间隔设置且一端固定在增强顶层的边缘、另一端朝向重布线层延伸且伸入至封装层，连接柱伸入封装层的一端设置有增强底脚，增强底脚在增强顶层上的投影面积大于连接柱在增强顶层上的投影面积。增强顶层和增强底脚上下夹持重布线层，降低重布线层由于翘曲而产生分层开裂的可能。

主权项：1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：封装层1，所述封装层1具有适于放置芯片100的安装槽11；重布线层2，设置在所述封装层1设置有所述安装槽11的一侧表面，所述重布线层2用于与所述芯片100电连接；多个凸点3，间隔设置在所述重布线层2背离所述封装层1的一侧表面上，所述凸点3与所述重布线层2电连接；增强结构4，包括增强顶层41、多个连接柱42以及多个增强底脚43，所述增强顶层41设置在所述重布线层2背离所述封装层1的一侧表面上，且所述增强顶层41具有适于设置所述多个凸点3的多个通孔411；多个所述连接柱42间隔设置，且一端固定在所述增强顶层41的边缘、另一端朝向所述重布线层2延伸且伸入至所述封装层1，所述连接柱42伸入所述封装层1的一端设置有增强底脚43，所述增强底脚43在所述增强顶层41上的投影面积大于所述连接柱42在所述增强顶层41上的投影面积。

全文数据：

权利要求：

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