申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881179A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供叠层结构和与叠层结构连接的有源区；有源区将叠层结构划分为沿第一方向排列的第一台阶区域和第二台阶区域；第一台阶区域和第二台阶区域均包括沿第一方向间隔排布的M个初始台阶结构；依次同时刻蚀第一台阶区域和第二台阶区域中远离有源区的前i个初始台阶结构，对应形成位于第一台阶区域中的M个第一台阶结构和第二台阶区域中的M个第一台阶结构；其中，沿远离有源区的方向，第一台阶结构在第三方向上的尺寸依次减小；位于第一台阶区域和第二台阶区域中远离有源区的第i个第一台阶结构在第三方向上的尺寸不相等；i＝1、2…M。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供叠层结构和与所述叠层结构连接的有源区；所述有源区将所述叠层结构划分为沿第一方向排列的第一台阶区域和第二台阶区域；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域均包括沿所述第一方向间隔排布的M个初始台阶结构；依次同时刻蚀所述第一台阶区域和所述第二台阶区域中远离所述有源区的前i个初始台阶结构，对应形成位于所述第一台阶区域中的M个第一台阶结构和所述第二台阶区域中的M个第一台阶结构；其中，沿远离所述有源区的方向，所述第一台阶结构在第三方向上的尺寸依次减小；位于所述第一台阶区域和所述第二台阶区域中远离所述有源区的第i个所述第一台阶结构在所述第三方向上的尺寸不相等；i＝1、2…M；所述第一方向平行于所述有源区所在平面，所述第三方向垂直于所述有源区所在的平面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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