申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113906347B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：["20190522 EP 19176024.8","20200508 EP 20173733.5"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要：本发明提供一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：‑获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及‑基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。

主权项：1.一种用于确定取样方案的方法，所述方法包括：-获得与性能参数在半导体衬底的第一部分上的第一空间分布有关的第一指纹模型和与所述性能参数在所述半导体衬底的第二部分上的第二空间分布有关的第二指纹模型；以及-基于与在所述第一部分上对所述第一指纹模型的估计相关联的第一不确定性指标的期望减小和与在所述第二部分上对所述第二指纹模型的估计相关联的第二不确定性指标的期望减小来确定与所述半导体衬底上的用于产生测量数据的测量部位相对应的取样点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 用于确定取样方案的方法、半导体衬底测量设备、光刻设备

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