申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-09-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110993606B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27

优先权：["20181002 KR 10-2018-0117630"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.07.10#实质审查的生效;2020.04.10#公开

摘要：一种三维半导体存储器装置包括：衬底；电极结构，其包括竖直地层叠在衬底上的电极，各个电极具有焊盘部分；电极分离结构，其穿透电极结构并在第二方向上彼此隔开；以及接触插塞，其耦接到焊盘部分。接触插塞包括第一接触插塞以及在第二方向上与第一接触插塞隔开的第二接触插塞。电极分离结构包括在第一接触插塞和第二接触插塞之间的第一电极分离结构。第一接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开第一距离。第二接触插塞在第二方向上与第一电极分离结构隔开不同于第一距离的第二距离。

主权项：1.一种三维半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，其包括竖直地层叠在所述衬底上的多个电极，所述电极中的每一个在所述连接区域上具有焊盘部分；穿透所述电极结构的多个电极分离结构，所述电极分离结构在第一方向上延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及耦接到所述电极的焊盘部分的多个接触插塞，其中，所述接触插塞包括：沿着所述第一方向的多个第一接触插塞；以及在所述第二方向上与所述第一接触插塞隔开的多个第二接触插塞，其中，所述电极分离结构包括：在所述第一接触插塞和所述第二接触插塞之间的第一电极分离结构；在所述第二方向上与所述第一电极分离结构隔开的第二电极分离结构，所述第一接触插塞在所述第一电极分离结构和所述第二电极分离结构之间；以及在所述第二方向上与所述第一电极分离结构隔开的第三电极分离结构，所述第二接触插塞在所述第一电极分离结构和所述第三电极分离结构之间，其中，所述第一接触插塞在所述第二方向上与所述第一电极分离结构隔开第一距离，并与所述第二电极分离结构隔开小于所述第一距离的第二距离，并且其中，所述第二接触插塞在所述第二方向上与所述第一电极分离结构隔开不同于所述第一距离的第三距离，并与所述第三电极分离结构隔开小于所述第三距离的第四距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 三维半导体存储器装置

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