申请/专利权人:矽磐微电子(重庆)有限公司
申请日:2019-03-08
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668115A
主分类号:H01L21/56(20060101)
分类号:H01L21/56(20060101);H01L23/31(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.03.28#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。其中,所述半导体封装方法包括在待封装芯片的正面形成附着力增进层;在附着力增进层外形成保护层;将正面形成有附着力增进层及保护层的所述待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;在所述载板之上对所述待封装芯片及所述保护层进行封装,形成第一包封层。
主权项:1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:在待封装芯片的正面形成附着力增进层;在附着力增进层外形成保护层;将正面形成有附着力增进层及保护层的所述待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;在所述载板之上对所述待封装芯片及所述保护层进行封装,形成第一包封层。
全文数据:
权利要求:
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