申请/专利权人：纳微朗科技(深圳)有限公司

申请日：2023-03-03

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190513A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/02;H01L33/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本申请公开了半导体发光器件。半导体发光器件包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，第一混合半导体层和第二混合半导体层设置于多量子阱发光层相对的两侧；第一电极设置于第一混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧，第二电极设置于第二混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧。通过上述方式，本申请能够实现半导体发光器件在交流电的全波段发光。

主权项：1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，所述第一混合半导体层和所述第二混合半导体层设置于所述多量子阱发光层相对的两侧；所述第一电极设置于所述第一混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧，所述第二电极设置于所述第二混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧；其中，所述多量子阱发光层包括层叠设置的多层量子阱层，所述多量子阱发光层的结构以所述多量子阱发光层的中心剖面为对称平面对称设置；所述第一混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第一P型区和第一N型区，其中所述第一P型区和所述的第一N型区形成于同一外延结构中，所述第二混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第二P型区和第二N型区，其中所述的第二P型区和所述的第二N型区形成于同一外延结构中，所述第一P型区和所述第二N型区相对设置，所述第一N型区和所述第二P型区相对设置；所述第一电极与所述第一P型区和所述第一N型区连接，所述第二电极与所述第二P型区和所述第二N型区连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 纳微朗科技(深圳)有限公司 半导体发光器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD