申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司

申请日：2023-05-11

公开（公告）日：2023-08-29

公开（公告）号：CN116667804A

主分类号：H03H3/08

分类号：H03H3/08;H03H9/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本发明公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器，其中制备方法包括：提供基板；在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将基板置入烤箱中，对IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对光阻单元的尺寸进行微调，以缩小光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。本发明在常规制备方法的基础上，通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调，可以根据不同的尺寸设计，调整IDT层曝光后的光刻胶CD，实现250～500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。

主权项：1.一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，所述IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将所述基板置入烤箱中，对所述IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对所述光阻单元的尺寸进行微调，以缩小所述光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离所述IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯集成电路(宁波)有限公司 中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器

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