申请/专利权人：嘉兴联康沃源科技股份有限公司;上海师范大学天华学院

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2023-11-28

公开（公告）号：CN220106505U

主分类号：H01L23/40

分类号：H01L23/40;H01L23/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.28#授权

摘要：本实用新型公开了一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体以及位于所述环氧封装体内部的芯片，所述芯片左右两侧分别设有左引脚与右引脚，所述左引脚与所述右引脚两者均贯穿至所述环氧封装体的外侧，所述芯片的外侧设有第一散热件，所述第一散热件的外侧设有第二散热件，所述芯片与所述第一散热件之间设有第一银浆层，所述第一散热件与所述第二散热件之间设有第二银浆层，所述环氧封装体内部设有铝金材料制成的辅助散热腔。有益效果：通过第一银浆层与第二银浆层的设计，从而可以增大芯片的散热效率与散热面积，进而有效的增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。

主权项：1.一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体（1）以及位于所述环氧封装体（1）内部的芯片（2），所述芯片（2）左右两侧分别设有左引脚（3）与右引脚（4），所述左引脚（3）与所述右引脚（4）两者均贯穿至所述环氧封装体（1）的外侧，其特征在于，所述芯片（2）的外侧设有第一散热件（6），所述第一散热件（6）的外侧设有第二散热件（8），所述芯片（2）与所述第一散热件（6）之间设有第一银浆层（5），所述第一散热件（6）与所述第二散热件（8）之间设有第二银浆层（7），所述环氧封装体（1）内部设有铝金材料制成的辅助散热腔（9），所述辅助散热腔（9）内部设有辅助散热件（10），所述辅助散热件（10）内部设有银质散热块（11），所述银质散热块（11）与所述第一银浆层（5）与所述第二银浆层（7）两者之间通过银质连接件（12）连接。

全文数据：

权利要求：

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