申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-08-04

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117558629A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明提供了一种FinFET器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上形成有多个伪栅极以及覆盖伪栅极侧壁的第一侧墙；氧化部分厚度的第一侧墙形成侧墙氧化层，并去除侧墙氧化层；形成覆盖第一侧墙的第二侧墙；形成填满相邻所述伪栅极之间的间隙的层间介质层；去除伪栅极与第一侧墙形成凹槽。本发明在去除伪栅极与第一侧墙的过程中，虽然对第二侧墙存在过刻蚀会导致凹槽的尺寸增大，但由于氧化部分厚度的第一侧墙形成侧墙氧化层之后并去除，伪栅极与第一侧墙的总体尺寸减小会使得凹槽的尺寸减小，从而使得最终形成的凹槽的尺寸达到工艺目标，从而提高了器件的性能。

主权项：1.一种FinFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有多个伪栅极以及覆盖所述伪栅极侧壁的第一侧墙；氧化部分厚度的所述第一侧墙形成侧墙氧化层，并去除所述侧墙氧化层；形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖剩余的所述第一侧墙；形成层间介质层，所述层间介质层填满相邻所述伪栅极之间的间隙；以及去除所述伪栅极与所述第一侧墙形成凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 FinFET器件及其制作方法

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