申请/专利权人：福建龙夏电子科技有限公司

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690967A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种可调节电流密度的SGTMOSFET，包括：衬底、形成于衬底上方的漂移区、形成于漂移区内的条状元胞和方形元胞；所述方形元胞的沟槽内生长第二源极场氧，所述第二源极场氧内淀积第二源极多晶，所述条状元胞沟槽和方形元胞沟槽之间的所述漂移区上部离子注入有P阱层，所述条状元胞的沟槽两侧的所述P阱层上方离子注入有N+源极层；在所述SGTMOSFET的俯视平面上，部分所述条状元胞纵向之间设置有若干所述方形元胞，若干所述方形元胞通过所述P阱层连接形成若干电流密度单元，用于调节所述SGTMOSFET的电流密度。

主权项：1.一种可调节电流密度的SGTMOSFET，其特征在于，包括：衬底、形成于衬底上方的漂移区、形成于漂移区内的若干条状元胞和方形元胞；在所述SGTMOSFET的竖直截面上，所述条状元胞和方形元胞等距间隔排列，所述条状元胞的沟槽内生长有第一源极场氧，所述第一源极场氧内淀积第一源极多晶，所述第一源极多晶形成所述SGTMOSFET的屏蔽栅极；所述第一源极多晶上方淀积栅极多晶，所述栅极多晶与源极多晶之间形成有极间氧化层，所述栅极多晶与条状元胞的沟槽之间生长有所述栅极氧化层，所述栅极多晶形成所述SGTMOSFET的控制栅极；所述方形元胞的沟槽内生长第二源极场氧，所述第二源极场氧内淀积第二源极多晶，所述条状元胞沟槽和方形元胞沟槽之间的所述漂移区上部离子注入有P阱层，所述条状元胞的沟槽两侧的所述P阱层上方离子注入有N+源极层；在所述SGTMOSFET的俯视平面上，部分所述条状元胞纵向之间设置有若干所述方形元胞，若干所述方形元胞通过所述P阱层连接形成若干电流密度单元，用于调节所述SGTMOSFET的电流密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建龙夏电子科技有限公司 一种可调节电流密度的SGT MOSFET

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