申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727615A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C30B29/40;C30B29/02;C30B25/18;C30B29/38

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法，包括：多晶SiC基底材料表面处理；将石墨烯层转移至多晶SiC基底材料表面，并退火处理，形成复合结构衬底；在原子层沉积设备中对复合结构衬底表面进行原位等离子处理，沉积AlN成核层，SiNx保护层；之后利用有机气相化学沉积设备加厚AlN层，并生长GaN基材料。本发明方法可获得与GaN基材料之间热膨胀系数失配较低的复合衬底，降低后续生长的GaN基薄膜的应力，同时规范衬底面内晶格排列，提升GaN基外延薄膜的晶体质量。

主权项：1.一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.对多晶SiC基底材料进行表面处理，使其表面粗糙度5nm；S2.将石墨烯层转移至多晶SiC基底材料表面，退火处理，形成复合结构衬底；S3.对复合结构衬底表面进行原位等离子体预处理；S4.在复合结构衬底表面沉积AlN成核层；S5.在AlN成核层表面沉积SiNx保护层；S6.在SiNx保护层表面依次外延生长AlN加厚层、GaN层，得GaN基外延结构；其中，步骤S3~S5在PEALD设备中进行，步骤S6在MOCVD设备中进行。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法

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