申请/专利权人:厦门三安光电有限公司
申请日:2021-11-01
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN114068786B
主分类号:H01L33/46
分类号:H01L33/46;H01L33/62
优先权:["20211026 CN 2021112483845"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.19#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开
摘要:本发明提供一种发光二极管,其包括外延层、第一反射层、第二反射层以及位于第一反射层上的第一焊盘与第二焊盘,外延层包括依次堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层;第一反射层位于外延层上,并具有第一开口与第二开口;第二反射层位于外延层上;第一焊盘与第二焊盘分别通过第一开口与第二开口电连接至第一半导体层与第二半导体层;其中,其中,第二反射层对于具有第一入射角的光线的反射率高于第一反射层对于具有第一入射角的光线的反射率,第一入射角大于等于40°。借此设置,可提升发光二极管的侧面出光量,增大发光角度。
主权项:1.一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管包括:外延层,包括依次堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层;第一反射层,位于所述外延层上,并具有第一开口与第二开口;第二反射层,位于所述外延层上;位于所述第一反射层上的第一焊盘与第二焊盘,所述第一焊盘通过所述第一开口电连接至所述第一半导体层,所述第二焊盘通过所述第二开口电连接至所述第二半导体层;其中,所述第二反射层对于具有第一入射角的光线的反射率高于所述第一反射层对于具有第一入射角的光线的反射率,所述第一入射角大于等于40°;其中,所述外延层具有相对的中心区域与周边区域,所述第二反射层至少位于所述外延层的中心区域,所述第一反射层至少位于所述外延层的周边区域;其中,从所述发光二极管的上方朝向所述外延层俯视,所述中心区域是指以所述外延层的几何中心为中心点,向所述外延层的侧边蔓延而形成的区域,所述中心区域的水平投影面积介于所述发光层的水平投影面积的5%~45%;或,所述中心区域是指以所述外延层的几何中心为中心点,向所述外延层的各侧边蔓延而形成的区域,所述中心区域内的最长线段的长度介于5~200微米;从所述发光二极管的上方朝向所述外延层俯视,所述周边区域是指以所述外延层的各侧边向所述外延层的几何中心蔓延而形成的区域,所述周边区域的水平投影面积介于所述发光层的水平投影面积的55%~95%。
全文数据:
权利要求:
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