申请/专利权人：常州大学;江苏江南烯元石墨烯科技有限公司

申请日：2022-01-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114545725B

主分类号：G03F1/22

分类号：G03F1/22;C23C16/26;C23C16/34;C23C16/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法。主要包括SiN支撑层的制备和在支撑层上生长碳纳米管薄膜。具体包括如下步骤：在基底两侧沉积SiN和SiO2，在SiN上涂覆光刻胶，在光刻胶上进行图案化曝光、显影、刻蚀和去胶，再经刻蚀去除表面SiO2后得到图案化的SiN支撑层，在支撑层上沉积一层碳纳米管薄膜，进一步将支撑层和基底进行刻蚀去除后，得到图案化的碳纳米管掩模版光罩。涉及的掩模版光罩具有高的透光率高，良好的化学稳定性和热稳定性，成本低的特点。

主权项：1.一种利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：第一步、SiN支撑层的制备：a、在石英玻璃基底或半导体硅基底两侧通过低压化学气相沉积法沉积SiN层，工作环境的压强为10-500Pa，工作环境温度为600-800℃；b、在基底正面SiN层上干氧氧化沉积一层SiO2保护层，工作环境温度为1000-1200℃；c、在背面SiN层上涂覆一层光刻胶；d、在光刻胶层上进行图案化曝光、显影、刻蚀和去胶，基底背面得到图案化的SiN层；e、再将基底翻转，经氢氟酸刻蚀去除基底正面的SiO2保护层后得到裸露的SiN支撑层；第二步、在SiN支撑层上生长碳纳米管薄膜：a、在SiN支撑层正面通过化学气相沉积法沉积一层500nm厚的碳纳米管薄膜，以二茂铁为催化剂，乙醇为碳源，氢气为载气，在管式炉中沉积碳纳米管薄膜，炉内温度为600-800℃；b、将SiN支撑层翻转，按照背面的图案将基底用浓度30%的KOH溶液刻蚀；c、SiN支撑层背面用160℃的热磷酸进行刻蚀去除后，得到碳纳米管掩模版光罩。

全文数据：

权利要求：

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