申请/专利权人：全磊光电股份有限公司

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747430A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;C30B25/16;C30B25/12;C30B29/40;C30B29/42

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于异质结双极晶体管技术领域，具体涉及一种异质结双极晶体管外延片的制备方法。本发明提供制备方法，在MOCVD设备中制备，生长基区之前将所述MOCVD设备的小盘支撑气体变更为氢气和氮气，快速降温20～30℃后进行基区生长；生长完基区后，将所述小盘支撑气体变更为氩气和氮气，快速升温20～30℃后生长发射层。本发明采用改变小盘支撑气体的方式，快速改变外延片表面的温度，外延片表面温度如图2所示，很好的实现了集电区与基区，基区与发射区温度的快速转变，即不影响基区外延层的质量，也不影响外延层界面的质量。

主权项：1.一种异质结双极晶体管外延片的制备方法，其特征在于，在MOCVD设备中制备，包括以下步骤：1将衬底放入MOCVD设备中，在所述衬底表面依次生长缓冲层、集电极欧姆接触层、集电区腐蚀阻挡层和集电区，得到第一外延片半成品；2将所述MOCVD设备的小盘支撑气体变更为氢气和氮气，对所述第一外延片半成品的表面进行降温后生长基区，所述基区的材料为P型掺杂的InGaAs，所述降温所用时间≤5s，所述降温的温差为20～30℃，得到第二外延片半成品；3将所述小盘支撑气体变更为氩气和氮气，对所述第二外延片半成品的表面进行升温后生长发射层，所述发射层的材料为N型掺杂的InGaP，所述升温所用时间≤5s，所述升温的温差为20～30℃，得到第三外延片半成品；4在所述第三外延片半成品表面生长副发射层和发射区欧姆接触层，得到异质结双极晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 全磊光电股份有限公司 一种异质结双极晶体管外延片的制备方法

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