申请/专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司

申请日：2023-07-31

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766590A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06

优先权：["20220926 JP 2022-153043"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.26#公开

摘要：提供一种具有沟槽结构的肖特基势垒二极管，其具有比以往更高的耐压。作为一个实施方式，提供一种肖特基势垒二极管1，该肖特基势垒二极管1具备：第1导电型的半导体层11，其包括宽带隙半导体，在第1面具有形成台面部112的沟槽111；高电阻区域14，其设置在半导体层11的沟槽111的底部，包含第2导电型的杂质；绝缘膜15，其以覆盖沟槽111的内表面中的至少底面的方式设置；阳极电极16，其隔着绝缘膜15设置在半导体层11上，并连接于台面部112；以及阴极电极17，其直接或隔着其它层设置在半导体层11的第1面的相反侧的第2面上。

主权项：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，具备：第1导电型的半导体层，其包括宽带隙半导体，在第1面具有形成台面部的沟槽；高电阻区域，其设置在所述半导体层的沟槽的底部，包含与所述第1导电型不同的第2导电型的杂质；绝缘膜或所述第2导电型的半导体膜，其以覆盖所述沟槽的内表面中的至少底面的方式设置；阳极电极，其隔着所述绝缘膜或所述半导体膜设置在所述半导体层上，并连接于所述台面部；以及阴极电极，其直接或隔着其它层设置在所述半导体层的所述第1面的相反侧的第2面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司 肖特基势垒二极管

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