申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN112309869B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20190731 US 16/528,295"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，更具体地涉及一种具有环状半导体鳍片的半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一环形结构；执行一蚀刻制程以在该环形结构下方形成一环状半导体鳍片；在该基底通过该该环状半导体鳍片而暴露的一顶部上形成一处理区；在该环状半导体鳍片的一侧表面上选择地形成一间隙子；在该基底与该环状半导体鳍片的一底部接触的该表面上形成一下源极漏极区；形成与该环状半导体鳍片的一内侧壁接触的一内栅极结构，并形成与该环状半导体鳍片的一外侧壁接触的一外栅极结构；以及在该环状半导体鳍片的一上部上形成一上源极漏极区。

主权项：1.一种半导体元件结构的制备方法，包括：在一基底上形成一环形结构；执行一蚀刻制程，以在该环形结构下方形成一环状半导体鳍片；在该基底通过该环状半导体鳍片而暴露的一顶部上，形成一处理区；在该环状半导体鳍片的一侧表面上，选择地形成一间隙子；在该基底与该环状半导体鳍片的一底部接触的表面上，形成一下源极漏极区；形成一内栅极结构，该内栅极结构接触该环状半导体鳍片的一内侧壁；形成一外栅极结构，该外栅极结构接触该环状半导体鳍片的一外侧壁；以及在该环状半导体鳍片的一上部上，形成一上源极漏极区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有环状半导体鳍片的半导体元件结构的制备方法

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