申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810100A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/538;H01L23/31

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域。提出一种构造硅桥芯片互连封装结构的方法及相应结构，该方法包括：构造硅桥芯片；构造第一芯片互连层，将所述第一芯片互连层与所述硅桥芯片连接，其中所述第一芯片互连层包括第三至第六芯片；以及在硅桥芯片上构造第二芯片互连层，所述第二芯片互连层包括第一和第二芯片，其中第一至第六芯片通过所述硅桥芯片相互连接。本发明可以实现六颗芯片的高密度互连，提高硅桥芯片组装的精准度，同时提高硅桥芯片的连接强度。构造过程引入TMV结构和工艺，在晶圆级工艺下即可完成扇出封装，工艺可行性高，同时可以降低CTE热失配导致的翘曲风险。

主权项：1.一种构造硅桥芯片互连封装结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：构造硅桥芯片；构造第一芯片互连层，将所述第一芯片互连层与所述硅桥芯片连接，其中所述第一芯片互连层包括第三至第六芯片；以及在硅桥芯片上构造第二芯片互连层，所述第二芯片互连层包括第一和第二芯片，其中第一至第六芯片通过所述硅桥芯片相互连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种构造硅桥芯片互连封装结构的方法及相应结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD