申请/专利权人：武汉光钜微电子有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811527A

主分类号：H03H3/02

分类号：H03H3/02;H03H9/10;H03H9/17;H01L21/50;H01L21/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开实施例公开一种晶圆级的封装方法。该封装方法包括：提供晶圆，晶圆包括谐振结构和连接谐振结构的焊盘；在晶圆上形成支撑层，支撑层具有暴露焊盘的第一开口和暴露谐振结构的第二开口，第二开口和第一开口通过支撑层间隔；形成覆盖支撑层、第一开口和第二开口的顶盖层，顶盖层包括环形区域、连接环形区域内侧边的第一区域和连接环形区域外侧边的第二区域；第一区域的正投影位于第一开口的正投影内，第一区域的正投影面积和环形区域的正投影面积之和大于或等于第一开口的正投影面积；对顶盖层进行曝光处理，使得环形区域的溶解度大于第一区域的溶解度以及第二区域的溶解度；对顶盖层进行显影处理，去除环形区域和第一区域，以暴露第一开口。

主权项：1.一种晶圆级的封装方法，其特征在于，包括：提供所述晶圆，所述晶圆包括谐振结构和连接所述谐振结构的焊盘；在所述晶圆上形成支撑层，所述支撑层具有暴露所述焊盘的第一开口和暴露所述谐振结构的第二开口，所述第二开口和所述第一开口通过所述支撑层间隔；形成覆盖所述支撑层、所述第一开口和所述第二开口的顶盖层；其中，所述顶盖层包括环形区域、连接所述环形区域内侧边的第一区域和连接所述环形区域外侧边的第二区域；所述第一区域的正投影位于所述第一开口的正投影内，所述第一区域的正投影面积和所述环形区域的正投影面积之和大于或等于所述第一开口的正投影面积；对所述顶盖层进行曝光处理，使得所述环形区域的溶解度大于所述第一区域的溶解度以及所述第二区域的溶解度；对所述顶盖层进行显影处理，去除所述环形区域和所述第一区域，以暴露所述第一开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉光钜微电子有限公司 晶圆级的封装方法

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