申请/专利权人：内蒙古工业大学

申请日：2024-02-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802574A

主分类号：C30B23/02

分类号：C30B23/02;C30B29/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种畴外延生长γ‑CuI薄膜的方法及γ‑CuI薄膜，方法包括根据畴外延理论中的旋转畴匹配模型，结合γ‑CuI111晶向的旋转对称性，确定单晶衬底；利用物理气相传输法，以γ‑CuI粉末作蒸发材料，在单晶衬底上生长γ‑CuI薄膜。本发明可保证γ‑CuI薄膜在根据旋转畴匹配模型和γ‑CuI111晶向旋转对称性确定的单晶衬底上连续生长，且可减少晶界和晶格缺陷对载流子的散射作用，提高载流子迁移率。由于旋转畴在厚度方向上为单晶，对于以旋转畴外延生长的γ‑CuI基p‑n结，其整流特性会得到显著改善。本发明所用物理气相传输法可在双温区管式炉中实现，设备价格低廉、操作简单，适合工业化生产。

主权项：1.一种畴外延生长γ-CuI薄膜的方法，其特征在于，包括：根据畴外延理论中的旋转畴匹配模型，结合γ-CuI111晶向的旋转对称性，确定单晶衬底，所述单晶衬底为旋转对称性为2或6的透明单晶衬底；利用物理气相传输法，以γ-CuI粉末作蒸发材料，在所述单晶衬底上生长γ-CuI薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 内蒙古工业大学 畴外延生长γ-CuI薄膜的方法及γ-CuI薄膜

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