申请/专利权人：济南市半导体元件实验所

申请日：2021-08-04

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113611746B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L23/552;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.11.23#实质审查的生效;2021.11.05#公开

摘要：本发明公开了一种快恢复平面栅MOSFET器件及加工工艺，器件包括：第一导电类型漏极区和第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层上方的栅氧化层和多晶硅层；多晶硅层与栅氧化层相接触；位于第一导电类型外延层顶部的源极区和沟道区，沟道区分别与源极区和栅氧化层相接触；位于第一导电类型外延层上部的第二导电类型屏蔽层；位于硅片上方的绝缘介质层和金属区层，绝缘介质层上开设接触孔，接触孔穿过所述绝缘介质层分别与第一导电类型外延层、第二导电类型屏蔽层和源极区相连通；接触孔内设置有金属。与传统平面栅功率MOS器件相比，本发明提高了反向恢复高频特性，降低了正向导通时的功率损耗，提高了漏源击穿电压，提升了开关特性。

主权项：1.一种快恢复平面栅MOSFET器件，其特征是，包括：第一导电类型漏极区（1），位于所述MOSFET器件的底部；第一导电类型外延层（2），位于第一导电类型漏极区（1）的上方；栅氧化层（3），位于所述第一导电类型外延层（2）的上方，且与第一导电类型外延层（2）相接触；多晶硅层（4），位于所述栅氧化层（3）的上方，且与所述栅氧化层（3）相接触；源极区（5），位于所述第一导电类型外延层（2）的顶部，且源极区（5）与栅氧化层（3）相接触；沟道区（6），位于第一导电类型外延层（2）的顶部，且位于所述栅氧化层（3）底部下方，沟道区（6）分别与源极区（5）和栅氧化层（3）相接触；第二导电类型屏蔽层（7），其位于所述第一导电类型外延层（2）的上部，且位于所述源极区（5）和沟道区（6）底部下方并与之相接触；绝缘介质层（8），位于所述源极区（5）及所述多晶硅层（4）的上方，所述绝缘介质层（8）上开设接触孔（9），所述接触孔（9）穿过所述绝缘介质层（8）分别与第一导电类型外延层（2）、第二导电类型屏蔽层（7）和源极区（5）相连通；金属区层（10），位于绝缘介质层（8）的上方；所述接触孔（9）内设置有金属；在第一导电类型外延层（2）的上部且在栅氧化层（3）的两端对称设置有源极区（5）；在第一导电类型外延层（2）上部且位于源极区（5）的内侧设置有沟道区（6），所述沟道区（6）在栅氧化层（3）两端下方，所述栅氧化层（3）的两端延伸出沟道区（6）外侧面并位于源极区（5）的上方。

全文数据：

权利要求：

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