申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110858595B

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50

优先权：["20180822 KR 10-2018-0098149"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.06.05#实质审查的生效;2020.03.03#公开

摘要：本发明公开了一种三维半导体存储器件，其可以包括：第一堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠；第二堆叠块，包括在基板上在第一方向上布置的第二堆叠；以及分离结构，设置在基板上在第一堆叠块和第二堆叠块之间。分离结构可以包括第一模层和第二模层，其在垂直于基板的顶表面的垂直方向上堆叠。

主权项：1.一种三维半导体存储器件，包括：基板；堆叠结构，包括交替且重复地堆叠在所述基板上的绝缘图案和栅电极；以及分离结构，设置在所述基板上，并且将所述堆叠结构分离成彼此间隔开的第一堆叠块和第二堆叠块，所述分离结构包括在垂直于所述基板的顶表面的垂直方向上延伸的分离层以及包含第一模层和第二模层的模制结构，其中所述第一堆叠块包括在基板上在第一方向上布置的第一堆叠，其中所述第二堆叠块包括在所述基板上在所述第一方向上布置的第二堆叠，其中所述堆叠结构具有有四个侧部区域的矩形形状，所述堆叠结构的所述侧部区域中的至少一个具有阶梯结构，以及其中所述分离结构的至少一个端部具有阶梯结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 三维半导体存储器件

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