申请/专利权人：天津三安光电有限公司

申请日：2019-11-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111819702B

主分类号：H01L33/04

分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：一种红外发光二极管（10），其特征在于，具备：半导体发光系列（2），该半导体发光系列（2）具有交替地层叠有阱层（011）和垒层（012）的量子阱结构的活性层（006）、夹持所述活性层（006）的第1波导层（005）和第2波导层（007）、以及隔着所述第1波导层（005）和第2波导层（007）夹持所述活性层（006）的第1覆盖层（004）和第2覆盖层（008）；所述第1波导层（005）和第2波导层（007）由组成式为AlX3Ga1‑X3Y1In1‑Y1P0≤X3≤1，0＜Y1≤1的化合物半导体组成；原红外光外延结构因倒装工艺会有键合良率低和台面蚀刻问题，无法实现倒装发光二极管的制作。通过使用上述外延系统材料，可实现红外光发光二极管（10）倒装工艺的制作。

主权项：1.一种红外发光二极管，其特征在于，具备：半导体发光系列，该半导体发光系列具有交替地层叠阱层和垒层的量子阱结构的活性层、夹持所述活性层的第1波导层和第2波导层、以及隔着所述第1波导层和第2波导层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；所述第1波导层和第2波导层由组成式为AlX3Ga1-X3Y1In1-Y1P的化合物半导体组成，其中0≤X3≤1、0＜Y1≤1；电流扩展层，设置于所述半导体发光系列上，所述电流扩展层的表面形成粗化面；透明键合层，设置在所述电流扩展层的粗化面上；及透明基板，通过该透明键合层键合在所述电流扩展层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津三安光电有限公司 一种红外发光二极管

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