申请/专利权人：天津大学

申请日：2021-08-24

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN113792512B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367;G06F30/392

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：本发明公开了一种复合型分立半导体晶体管，包括两个金属‑氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合晶体管的栅极和源极；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源级通过级间电感L连接在一起；所述晶体管M2的栅极通过电阻R与晶体管M2的漏极耦合在一起，并且共同形成复合晶体管的漏极；所述电阻R与电容C组成晶体管M2的栅极偏置电路。本发明的有益效果如下：1带宽较宽；2低成本；3有较好的小信号增益与噪声系数。

主权项：1.一种复合型分立半导体晶体管，其特征在于：包括两个金属-氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合晶体管的栅极和源极；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源级通过级间电感L连接在一起；所述晶体管M2的栅极通过电阻R与晶体管M2的漏极耦合在一起，并且共同形成复合晶体管的漏极；所述电阻R与电容C组成晶体管M2的栅极偏置电路；所述复合型分立半导体晶体管的加工工艺包括如下步骤：步骤一：选取合适的晶体管尺寸及偏置状态；观察对比随晶体管尺寸以及偏置状态变化所对应最小噪声系数NFmin和最大功率增益Gmax的性能变化，从而折中选择合适的晶体管尺寸和偏置状态；步骤二：选取合适的级间电感；级间电感L的表达式为： 其中，级间的所有寄生电容归纳为CX，CX＝CP1+CP2；步骤三：设计偏置电路；选取一个大电阻用来连接共栅晶体管的栅极和漏极，用于为共栅晶体管供电，且栅极偏置与漏极电压一致；步骤四：版图布局与电磁仿真，根据搭建的原理图进行版图的布局，并通过Cadence与HFSS电磁仿真软件进行联合仿真优化，最终得到最优的电路结构设计；步骤五：选取合适的封装形式，根据应用频率与应用场景的需求，选择合适的封装外壳并且通过键合或者倒扣的形式将管芯与封装进行连接，最终得到复合分立晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 一种复合型分立半导体晶体管

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