申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2024-01-10

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117558761B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本申请公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P型阱区和源极N型区依次设于衬底上；栅极贯穿P型阱区和源极N型区并嵌于N型外延层；N型电流通道、P型掩蔽层以及P型接地区设于N型外延层靠近P型阱区的一侧，且被N型外延层包裹；P型掩蔽层和N型电流通道的组合包裹栅极的槽角；N型电流通道与P型掩蔽层接触；P型接地区位于第二截面区内，N型电流通道和或P型掩蔽层沿第一方向与多个P型接地区接触。由此，在栅极沟槽下方构造包括P型掩蔽层和P型接地区的深掩蔽结构，以及N型电流通道构成的多截面导通结构，可以更好地保护栅极沟槽槽角，并提升器件的电流导通能力。

主权项：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区和第二截面区；所述第一截面区和所述第二截面区均包括：衬底、N型外延层、P型掩蔽层、N型电流通道、P型阱区、栅极、源极N型区、源极以及漏极；所述N型外延层、所述P型阱区、所述源极N型区和所述源极依次设于所述衬底的一侧；所述漏极设于所述衬底的另一侧；所述栅极贯穿所述P型阱区和所述源极N型区并嵌于所述N型外延层；所述N型电流通道和所述P型掩蔽层设于所述N型外延层靠近所述P型阱区的一侧；所述P型掩蔽层和所述N型电流通道的组合包裹所述栅极的槽角；所述N型电流通道与所述P型掩蔽层接触；在所述第一截面区内，所述N型电流通道和所述P型掩蔽层的组合被所述N型外延层包裹；所述第二截面区还包括：P型接地区；所述P型接地区设于所述N型外延层靠近所述P型阱区的一侧；所述N型电流通道和或所述P型掩蔽层沿第一方向与多个所述P型接地区接触；在所述第二截面区内，所述N型电流通道、所述P型掩蔽层以及所述P型接地区的组合被所述N型外延层包裹。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法

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